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標(biāo)題: 沉積爐工藝流程 [打印本頁(yè)]

作者: 燒烤配啤酒    時(shí)間: 2024-7-30 10:00
標(biāo)題: 沉積爐工藝流程
沉積爐是用于制造半導(dǎo)體器件的重要設(shè)備,其工藝流程大致如下:

1.基片準(zhǔn)備:首先,準(zhǔn)備要用于沉積的基片(通常是硅片),必須先進(jìn)行清洗和表面處理,以確保表面干凈和適合沉積。
2.裝載基片:清潔的基片被裝載到沉積爐的載具上,通常是通過(guò)機(jī)械手或者人工放置。
3.預(yù)處理:在進(jìn)行實(shí)際的沉積之前,可能需要進(jìn)行一些預(yù)處理步驟,例如加熱基片以去除殘留的水分或氧化層,以及預(yù)先引入某些化學(xué)物質(zhì)以調(diào)控沉積過(guò)程中的條件。
4.沉積:主要沉積過(guò)程開(kāi)始。這可能包括化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)等技術(shù)。在CVD中,通過(guò)將氣體化學(xué)物質(zhì)引入沉積爐并加熱,使其在基片表面沉積固體薄膜。在PVD中,物質(zhì)從固體源蒸發(fā)并在基片表面沉積。沉積過(guò)程中需要嚴(yán)格控制溫度、氣氛、流速和時(shí)間等參數(shù),以確保所需的沉積薄膜質(zhì)量和厚度。
5.冷卻和卸載:沉積完成后,基片通常會(huì)在一定的溫度條件下冷卻,以避免熱應(yīng)力損傷。之后,基片可以從沉積爐中卸載。
6.后處理:沉積完成后的基片可能需要進(jìn)一步的后處理步驟,如清洗、檢查和測(cè)試,以確保沉積膜的質(zhì)量和一致性。

沉積爐的工藝流程因所使用的具體沉積技術(shù)、器件類型和工藝要求而有所不同,但以上步驟大致描述了一般的沉積爐工藝流程。


作者: 金多蝦    時(shí)間: 2024-9-3 21:22
樓上的回答很專業(yè),學(xué)習(xí)了。
作者: 體力-1    時(shí)間: 2024-9-4 10:14
很小眾的設(shè)備,大部分人應(yīng)該都沒(méi)見(jiàn)過(guò)
作者: 花開(kāi)正好    時(shí)間: 2024-9-4 11:20
學(xué)習(xí)下,感謝樓主分享




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