原子層沉積技術

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?原子層沉積技術（Atomic Layer Deposition, ALD）是一種將物質以單原子膜形式一層一層鍍在基底表面的方法?。它通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器，并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學吸附反應，從而形成沉積薄膜?。
基本原理
ALD技術的基本原理包括四個步驟：
?脈沖第一種前驅體暴露于基片表面，并進行化學吸附?。
?使用惰性載氣吹走未反應的前驅體?。
?脈沖第二種前驅體進行化學反應，形成所需的薄膜材料?。
?再次使用惰性載氣吹走剩余的前驅體與反應副產物??。
發(fā)展歷史和應用領域
ALD技術起源于20世紀60年代，最初由前蘇聯(lián)科學家研究，并在70年代由芬蘭科學家Tuomo Suntola獨立開發(fā)出多循環(huán)涂層技術并申請專l。ALD技術在90年代隨著半導體工業(yè)的發(fā)展而得到廣泛應用。進入21世紀，隨著商品化ALD儀器的研制成功，該技術在基礎研究和實際應用中受到了越來越多的關注?。
不同類型和應用實例
ALD技術有多種變體，包括熱沉積（TALD）、等離子增強沉積（PEALD）、閃光增強沉積（FEALD）和光輔助沉積（PAALD），其中TALD和PEALD最為常見?4。在實際應用中，ALD技術已被廣泛應用于傳感器、儲能、催化、存儲設備等多個領域?4。如使用三甲基鋁（TMA）和水或氧等離子體進行氧化鋁（Al2O3）的沉積，通過自限性表面反應形成高質量的薄膜材料?。

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