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白光干涉儀測量范圍有哪些?

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    發(fā)表于 2025-10-31 17:58:06 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
      白光干涉儀的測量范圍涵蓋垂直與橫向兩個維度,并具備材料與結構的廣泛適應性,具體如下:
      一、垂直測量范圍(高度/厚度)
      1.超光滑表面至微米級臺階:
      ①典型垂直分辨率可達 0.1nm,能精準捕捉納米級表面起伏(如半導體晶圓表面粗糙度Ra值低至0.7nm)。
     ?、跍y量范圍通常覆蓋 1nm至200μm,部分高端設備(如大視野3D白光干涉儀)可擴展至 10mm,滿足從薄膜厚度到深槽結構的測量需求。
      2.分層膜厚無損檢測:通過非接觸式光學干涉,可對多層薄膜進行3D形貌重構,精準分析各層膜厚分布(如5nm級有機油膜的全區(qū)域厚度檢測)。
      二、橫向測量范圍(面積/視野)
      1.微觀形貌表征:
     ?、贆M向分辨率通常為 0.3μm,單次掃描視野范圍從 數十微米至數毫米(如1.7mm×1.3mm單幅圖像)。
      ②大視野設備(如0.6倍鏡頭)可實現 15mm單幅超大視野,結合高精度(0.1nm級)完成8寸晶圓的全域掃描(FULL MAPPING)。
      2.復雜結構適配性:適用于高寬比>5的納米柱、深寬比>10的溝槽等特殊結構,避免因信號衰減導致的測量盲區(qū)。
      三、材料與結構適應性
      1.表面反射率范圍:可測量表面反射率從 0.5%至99.9% 的樣品,涵蓋鏡面、漫反射面及透明薄膜(如通過調整光源波段匹配PMMA等光刻膠的折射率特性)。
      2.材料類型兼容性:適用于導體、半導體、絕緣體等各類材料,包括柔軟、黏性表面(如生物材料)及難測量表面(如深蝕刻工藝形成的深槽結構)。
      四、典型應用場景
      1.半導體制造:
     ?、倬A表面粗糙度檢測(Ra值0.1-10nm)、電子束光刻(EBL)后3D輪廓測量(如50nm寬納米線的側壁傾角89.2°)。
     ?、诜謱幽ず駸o損檢測(如薄膜材料研究中的各層膜厚分布分析)。
      2.精密加工與材料研究:
     ?、俑呱顚挶冉Y構測量(如深槽結構的槽深、槽寬精準獲?。?br />  ?、趧討B(tài)測量(集成多普勒激光測振系統,實現復雜工況下的“動態(tài)”3D輪廓測量)。
      3.潤滑與生物材料:
      ①有機油膜厚度掃描(毫米級視野覆蓋5nm級油膜)。
      ②柔軟表面粗糙度測量(如生物材料無損檢測)。
      點擊這里了解更多白光干涉儀信息:http://www.bjygtech.cn/



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